中華精測憑藉「領先技術」、「卓越製造」及「前瞻性營運策略」提供全方位半導體測試介面服務。精測所提供的探針卡解決方案,在手機應用處理器、高效能運算晶片、網通晶片、晶片等探針卡產品通過客戶驗證且開始量產,產品品質與服務均廣受國際大廠肯定,期待未來能提供客戶完整之半導體測試解決方案。探針卡解決方案之優勢與技術介紹如下。
縱橫比 (Aspect Ration) 為「板厚與成品孔徑」的比值,目前精測縱橫比能力,一般PCB板達24~32,高階PCB板達40~50。伴隨著高縱橫比技術,在多層數PCB板製程工藝技術中,精測壓合、鑽孔、通孔電鍍製程能力可凸顯本公司卓越製造能力。
a. 壓合(Lamination)
現今電路板大多為多層板,精測精算每層基板漲縮,層與層間,加上特有的鉚合技術,使層間對準度達最小偏移。
▼ 精準層間對位
鑽孔在PCB製程中分成機械鑽孔和雷射鑽孔。機械鑽孔以比髮絲還細的鑽針與鑽孔技術,藉由貫穿電路板層與層之間的接點,製作出通路,作為訊號連接之用。隨終端產品日益輕、薄、小型趨勢,為了將眾多元件緊密於有限面積內,且在機械鑽孔在鑽針材質、排屑能力、加工定位等較難克服時,採用雷射鑽孔製作。
在比髮絲還細的鑽孔中進行電鍍銅工法,以連接不同導線層的線路。
精測的高縱橫比電鍍技術以達業界高階製程能力。Pitch 0.4mm以上、縱橫41以內最高孔銅厚度可達1.0 mil。
Pitch(mm) | 孔徑(mm) | 縱橫比 | 最小孔銅厚度(mm / mil) | 最大孔銅厚度(mm/mil) |
---|---|---|---|---|
0.32 | 0.125 | 40 | 0.01 / 0.4 | 0.015 / 0.6 |
0.35 | 0.125 | 40 | 0.01 / 0.4 | 0.015 / 0.6 |
0.40 | 0.150 | 41 | 0.01 / 0.4 | 0.025 / 1.0 |
0.50 | 0.200 | 40 | 0.01 / 0.4 | 0.025 / 1.0 |
近年封裝技術不斷演進,從Wire Bond 到3D IC,IC Bump 的微縮將成為不可避免的趨勢。封裝技術的精進,也間接影響以下技術的發展。
當IC Bump微縮將面臨兩種技術的挑戰,一則為微小孔徑,另一者為微細線寬/間距,目前精測的技術已可達微間距20um,細線路20um。
經由微細線寬/間距的微縮,將可提供更多的空間佈線,除減少Layout層數外,亦可提供Multi-DUT測試的設計,加上信號傳輸的路徑縮短,將有助於提升信號品質。精測擁有Pitch 50um量產經驗,除孔徑設定為25um外,微細線寬/間距設定20um/20um,此測試方案已可對應到晶圓10nm以下製程等級的測試。
精測具備開發與製作探針的自有技術,為探針卡客戶提供「標準針款、客製化服務」。可依據客戶測試需求進行原材料之金屬成份調整,以製作符合客製化需求之高效能探針。
精測探針均透過應力應變模擬,透過群針模擬、力學分析與探針優化作業,確保群針作動一致。
探針卡解決方案中,精測推出NS、BR、SR等系列的探針,該三系列探針
應用於各式晶圓測試,成功提升其測試所需之頻寬、速度、電流等需求,為高速運算電腦(HPC)、行動裝置(Mobile)、智聯網(AIoT)、顯示器(Display)等各應用產品,提供完整高規的晶圓測試介面服務。
CHPT之SR系列探針專為Bump/Pad Pitch 90um的高效能運算晶片(HPC)量身訂做,該系列針種適用於高溫達150℃、高頻達23GHz、單針最大電流1500mA。
CHPT之BR系列探針專為Bump/Pad Pitch 130um~180um的高效能運算晶片(HPC)及RF晶片所設計開發,該系列針種適用於高溫達150℃、高頻達24GHz、單針最大電流1500mA~1800mA。同時適用於APU、GPU、CPU等晶片。
CHPT之NS系列探針專為AP、ASIC、TDDI、Modem等晶片設計開發,該系列針種具備low force , high CCC 、long lifetime之特性,適用於高速達10 Gbps、單針最大電流1200mA,以提供絕佳的性價比。